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研發經理

發布時間:2024-02-24 17:20:48 作者:玨佳獵頭 點擊次數:95

崗位職責:

1. 負責IGBT、MOSFET、FRD等功率半導體芯片設計與開發工作,含工藝仿真、結構設計、版圖繪制,工藝流程制定,檢測程序制定;

2. 負責解決芯片設計與開發過程中的關鍵設計、仿真、工藝等技術問題,進行芯片性能分析及優化,確保研發項目的順利進行;

3. 根據需求進行產品變更與維護,實驗數據的統計分析;

4. 新材料,新器件,新產品技術情報收集與分析.

學歷要求:

1.碩士及以上,物理學,微電子,電子工程,電氣工程,自動化等相關專業;

能力要求:

1. 5年以上相關工作經驗,具有功率器件從設計到量產的完整經驗優先;

2. 精通IGBT,MOSFET,FRD等功率器件原理;

3. 熟悉IGBT,MOSFET,FRD等功率器件工藝;

4. 熟悉常見電力電子拓撲;熟悉常見功率器件封裝;

5. 熟練使用Sentaurus TCAD或Silvaco TCAD等工具。

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